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DDR3內(nèi)存與GDDR3顯存有啥區(qū)別

我要評論 2009/11/26 12:44:20 來源:綠色資源網(wǎng) 編輯:綠色資源站 [ ] 評論:0 點擊:715次

DDR3與GDDR3只有一字之差,很多時候大家都會以為這二者差不多,那么它們之間區(qū)別在哪呢?

GDDR3用于顯存,不用作系統(tǒng)內(nèi)存GDDR3是不折不扣的顯存專用,GDDR3采用單端口設計,沒有分開數(shù)據(jù)輸入和寫出通道。此外,GDDR3采用了基于電壓的“偽開漏”界面技術。在工作電壓上,GDDR3顯存一般為1.8V,高于普通DDR3內(nèi)存不少。

GDDR3能夠達到很高的頻率,但是卻也擁有很低的功耗。同時,配備GDDR3需要的外部電子元件更少,約束條件也更低。因此從多方面的特征來看,GDDR3顯存現(xiàn)階段已經(jīng)成為顯卡的標配顯存,而性能更強的GDDR5也可在高端顯卡上看到。

DDR3是DDR2內(nèi)存的接班人DDR3工作電壓為1.5V,大多主流產(chǎn)品頻率從1333MHz起跳。相比DDR2內(nèi)存,DDR3內(nèi)存模組最大的改進就是采用了數(shù)據(jù)預讀取機制設計,這樣存儲顆粒內(nèi)核的頻率只有標稱實際頻率的1/8。舉個例子:DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz;當存儲顆粒內(nèi)核工作頻率為200MHz時,實際標稱頻率已經(jīng)達到了1600MHz,即DDR3-1600。

由此可見,GDDR3是顯存專用,對于顯卡的需求進行了專門的優(yōu)化,而DDR3則主要用于系統(tǒng)內(nèi)存。

關鍵詞:DDR3內(nèi)存,GDDR3顯存

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